Selective epitaxy base for bipolar transistors

Abstract

Un transistor dont la base est preparée par épitaxie sélective a été fabriqué avec une largeur de base de 1100A°et une résistance carrée de la base intrinsèque de 2800Ω/□. Nous démontrons quil est possible d'utiliser une largeur de base inférieure à 1000A° si les cycles therniques après le dépôt de la base sont minimisés. L'utilisation de couches minces epitaxiées pour la base in intrinsèque permet d'éviter les difficultés liées à la formation des espaceurs, en limitant la nucléation sur le silicium polycristallin de la base etrinsèque à la peripherie de l'emetteur. L'interface poly/epi est orientée suivant un plan (111). Ceci conduit à une degradation des characteristiques des dispositifs à cause de l'étalement lateral de la base extrinsèque en dessous des espaceurs. A Selective Epitaxy Base Transistor (SEBT) is presented with a basewidth of 1100A° and an intrinsic base sheet resistance of 2800Ω/□. It is demonstrated that a sub-1000A° basewidth is possible if the temperature-time cycles after base deposition are minimal. Using thin epitaxial layers to form the intrinsic base avoids difficulties in sidewall formation caused by nucleations on the extrinsic base polysilicon at the emitter window perimeter. The poly/epi interface was found to be on a (111) plane. This leads to a degradation of the device characteristics due to extrinsic base encroachment underneath the sidewall.